TSMC nega planos de produzir 3D DRAM para a Nvidia, após relato da The Information

A The Information relatou, com base em duas fontes, que a TSMC começou a preparar planos de produção de 3D DRAM a pedido da Nvidia, sua maior cliente. A iniciativa estaria sob Hsu Kuo-chin, vice-presidente de advanced packaging e ex-chefe das operações da Micron em Taiwan. A TSMC negou: afirma ser uma foundry de lógica e que pretende continuar assim.

O argumento técnico contra é direto. A 3D DRAM empilha camadas de células na vertical para elevar a capacidade por wafer, e exige técnicas próprias para controlar defeitos e manter yield. Sem um processo competitivo de DRAM planar como base, a TSMC não teria de onde partir. Mesmo a Micron prevê pelo menos mais quatro nós planares antes da 3D DRAM, então ela não resolveria a escassez por pelo menos cinco anos. Comprar um fabricante pequeno de memória especializada daria acesso a uma fab, mas não a nós de ponta de DRAM commodity. Ainda haveria bilhões em P&D pela frente.

A cobertura anterior mostra a pressão de memória sobre a Nvidia. Em 11 de agosto de 2026, o CEVIU noticiou "Nvidia explora versões do Rubin Ultra com menos memória para driblar escassez". Em 4 de novembro de 2026, saiu "Samsung deve produzir base dies de HBM para AMD e Nvidia em 2nm em segunda fábrica no Texas, diz Maeil". O relato sobre a TSMC não é continuação direta dessas notícias, mas o contexto de escassez e de disputa por base dies de HBM é o mesmo.

Para quem acompanha cadeia de suprimentos de aceleradores, o mais plausível é a TSMC ampliar seu papel sem fabricar DRAM: base dies de lógica para HBM, integração via SoIC e memória customizada com parceiros. É uma leitura, não um fato confirmado. A negação oficial pesa, e o relato segue sem confirmação pela TSMC.