Samsung Foundry Adia 1.4nm para 2029 e Mira 1nm com High-NA EUV

A Samsung Foundry reajustou seu roteiro de produção de semicondutores, priorizando a otimização dos nós de 2 nanômetros (SF2) nos próximos três anos. O lançamento do processo de 1.4 nanômetros (SF1.4), inicialmente previsto para 2027, agora está agendado para 2029. Essa estratégia visa aprimorar aspectos como a distribuição de energia pelo backside power delivery e o empacotamento avançado, pontos críticos para a performance e eficiência dos chips em aplicações como inteligência artificial e computação de hiperescala.

A empresa também confirmou a intenção de utilizar a litografia High-NA EUV (Extreme Ultraviolet) para viabilizar os nós de 1 nanômetro (SF1A) a partir de 2030. Embora a Samsung já possua um scanner ASML Twinscan EXE:5000 High-NA EUV para pesquisa, a adoção em massa será gradual. O motivo para a cautela reside nos altos custos e na complexidade operacional da tecnologia, que exige novos fotorresistores, máscaras e mudanças em toda a cadeia de produção. A Samsung entende que o High-NA EUV será indispensável a partir da classe de 10 angstroms (1nm), trabalhando em conjunto com parceiros para refinar a tecnologia.

A mudança mais notável no roteiro da Samsung Foundry é o adiamento do nó de 1.4 nanômetros (SF1.4) de 2027 para 2029. Essa decisão permite à empresa focar no aprimoramento da família de processos de 2 nanômetros (SF2), tornando-os mais competitivos em termos de rendimento e volume, essencial para clientes como a Tesla. Antes, a Samsung tinha um cronograma mais agressivo.

Outra novidade é a confirmação do uso da litografia High-NA EUV para os chips de 1 nanômetro (SF1A) e menores, a partir de 2030. Anteriormente, a empresa não havia especificado publicamente o ponto exato de inserção dessa tecnologia. A expectativa é que o nó de 1 nanômetro coexista com uma versão aprimorada do 1.4 nanômetro, o SF1.4+, que ainda usará a tecnologia Low-NA EUV, indicando uma transição faseada.

A revisão do roteiro de processos da Samsung Foundry é um termômetro para a indústria de semicondutores. O foco na otimização de nós maduros (2nm) antes de avançar para a próxima fronteira (1.4nm) reflete os desafios crescentes na fabricação de chips cada vez menores. Essa estratégia pode estabilizar a produção para clientes importantes, como a Tesla, que depende da Samsung para seus chips de IA.

A adoção do High-NA EUV para os nós de 1 nanômetro em 2030 sinaliza o próximo salto tecnológico, mas também destaca as dificuldades em termos de custo e complexidade. A movimentação da Samsung influencia a dinâmica de concorrência com a TSMC e a Intel, ambas buscando a liderança em tecnologia de fabricação. A capacidade de dominar essas tecnologias definirá quem fornecerá os chips que alimentarão a próxima geração de IA, computação de alto desempenho e dispositivos inteligentes.