China avança em chips sub-3nm com DUV, contornando restrições de exportação

A Academia Chinesa de Ciências (CAS) demonstrou um processo inicial para construir transistores Gate-All-Around (GAA) em nível sub-3nm, um avanço crucial na fabricação de chips. O detalhe técnico importante é a integração de transistores CMOS GAA com canal de nanosheet empilhado, uma arquitetura que representa a nova fronteira tecnológica para nós de processamento muito pequenos, como os de 3nm e além. Essa arquitetura oferece maior controle sobre o fluxo de corrente, superando os designs FinFET. O que torna o feito notável é a utilização de litografia ultravioleta profunda (DUV), uma tecnologia mais antiga, para alcançar esse patamar.

As máquinas DUV não têm as restrições de exportação que afetam os equipamentos de litografia ultravioleta extrema (EUV) da ASML. Mesmo sendo uma pesquisa em estágio inicial, sem escala de produção comercial validada, o trabalho indica uma rota promissora. É uma estratégia para a China contornar as barreiras impostas por restrições externas, buscando a autossuficiência em semicondutores avançados através de inovação arquitetural e otimização de tecnologias existentes.

Essa demonstração da CAS marca uma evolução prática da estratégia chinesa. Em julho de 2026, o CEVIU noticiou que uma empresa de Xangai iniciava a produção em massa de máquinas de litografia DUV, indicando um foco na capacidade de fabricação de hardware. Agora, com a integração dos transistores GAA sub-3nm usando DUV, a China mostra como pretende extrair o máximo dessas ferramentas. Não se trata apenas de ter as máquinas, mas de desenvolver novos processos e arquiteturas de transistores para empurrar os limites da tecnologia DUV, buscando resultados que antes só eram possíveis com EUV.

É uma abordagem paralela a outras iniciativas, como a “Tau Scaling Law” da Huawei, mencionada em nossa cobertura de maio de 2026, que foca no design de chips para aumentar a densidade de transistores. Enquanto o Tau Scaling Law busca otimizar o design para densidades futuras, o trabalho da CAS demonstra um caminho direto na fabricação para alcançar nós de processo avançados com a tecnologia DUV atual. Juntas, essas frentes reforçam a busca chinesa por autonomia tecnológica.

A pesquisa da Academia Chinesa de Ciências é um marco significativo na corrida pela autossuficiência tecnológica da China. Ao demonstrar a capacidade de desenvolver transistores sub-3nm usando DUV, o país envia uma mensagem clara de que as restrições de exportação de equipamentos EUV não irão paralisar seu avanço. Esse movimento força o mercado global a reavaliar a eficácia das sanções, mostrando que a inovação pode encontrar caminhos alternativos.

Para a indústria de semicondutores, isso sugere um futuro com mais diversidade de abordagens tecnológicas. O domínio do GAA (Gate-All-Around) com DUV pode dar à China uma vantagem estratégica importante, não só para atender à demanda interna, mas também para influenciar a cadeia de suprimentos global, oferecendo uma alternativa ao domínio atual de fabricantes com acesso exclusivo a equipamentos EUV.