Micron prevê wafer bonding no nó 1ε de DRAM e High-NA EUV em nós posteriores

A Micron abandonou as células de memória 4F² do roadmap e precisa de outros caminhos para escalar a DRAM. O plano: introduzir wafer bonding no nó 1ε, ainda em desenvolvimento, e adotar litografia High-NA EUV nas gerações seguintes. A empresa não detalhou como pretende implementar o wafer bonding nem que ganhos espera.

O nó atual, 1γ, já está em produção em alta escala. O 1δ entra em volume no segundo semestre de 2027, com aumento de densidade de bits na casa dos 20% (faixa média) e otimização para produtos de memória de IA como HBM5, vHBM e vEIM. Depois vêm o ζÅ, com High-NA EUV, e o ηÅ, com novos materiais. Para esses nós, a Micron colabora com a Albany NanoTech em litografia avançada, com foco nos próximos cinco a dez anos, em pesquisa pré-competitiva. A DRAM 3D (3D1 e 3D2) aparece no roadmap entre o ζÅ e o ηÅ, mas como caminho paralelo, sem arquitetura nem cronograma divulgados. Scott DeBoer, CTO da Micron, disse que a DRAM está perto dos limites atômicos.

No lado dos produtos, a vHBM coloca pilhas de memória sobre o processador, com menor latência e mais banda, ao custo de desafios térmicos e menos pilhas por ASIC. A vEIM usa a mesma base de empacotamento, mas mira eficiência em IA de borda (veículos autônomos, robótica). A primeira geração da vEIM busca 2 TB/s com menos de 1 pJ/bit. Ambas dependem de hybrid bonding. A Micron não deu data de produção.

Em 4 de setembro de 2026, o CEVIU noticiou em "Micron explora NAND adjacente à GPU para otimizar desempenho de IA" que a empresa estaria avaliando integrar flash NAND no encapsulamento da GPU, perto da HBM. Aquilo era uma avaliação não confirmada. Agora o roadmap oficial mostra outra frente de integração próxima ao processador, com vHBM e vEIM empilhadas sobre o chip. São temas distintos, mas ambos apontam para memória cada vez mais colada à lógica.

Para quem projeta aceleradores ou sistemas de borda, a leitura é que o desempenho de memória passa a depender mais de empacotamento e de co-design com o fornecedor do que de simples ganho de nó. Quem trabalha com robótica e edge deve acompanhar a vEIM, pela meta de eficiência. Sem datas para vHBM, vEIM e wafer bonding, o planejamento ainda precisa tratar tudo isso como direção, não como produto.